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ヘテロエピタキシャル系では基板とその上に成長する結晶が異なる。両者の格子定数の違いから生じる歪みエネルギーの効果を低減するために、基板を微細加工することがある。このとき、吸着結晶が基板柱列上の非対称な位置に配列することや濡れが途中で止まるなど、液体の濡れとは異なる現象を示すことを見出した。また、平坦なSiO2基板上でSi島が高温で蒸発するときに見られる島拡散では、拡散定数が島の大きさによらない。この異常拡散は化学反応で荒れたSi/SiO2界面の角にSi島の縁が引っかかったり、熱揺らぎで外れるために起きると解明した。そのほか、基板上で一方向成長する多結晶中の結晶粒の粗大化則を求めた。
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