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動作している分子デバイスの電子状態は、電極基板との相互作用のみならず、注入電荷や印加バイアスの影響を受けていると考えられる。本研究課題では、動作環境にある分子デバイスの電子状態を直接観測し、動作原理の理解を深めることを目的とした。実験では、まず、分子薄膜について、バイアス印加状態にある分子の電子状態を蛍光収量X線吸収分光で観測した。この結果を元に、異なる特性の部位を持つ自己組織化単分子膜を作製し、その電子状態がデザイン通りであることを実験的に確かめた。この研究を通して、新しい単分子デバイスの設計指針を得た。
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