研究課題
基盤研究(C)
三級ホスフィンは均一系金属錯体触媒の配位子として最も広く用いられており、その電子的性質や嵩高さにより金属錯体触媒の触媒活性や立体選択性が制御されている。その一環として、高度に電子不足でありながら嵩高高くないため金属に配位しやすい、BFPyホスフィンと呼ばれる新型配位子を開発した。この配位子は、市販されている高度に電子不足なC6F5基を有する配位子を凌駕する性能を示し、極めて高い触媒活性を有する触媒を現実の物とした。
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http://www.chem.iwate-u.ac.jp/web/labo/shimada/Kore/index.html