非晶質酸化物のｐｎ制御とデバイスへの応用

2013 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 23550205
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 機能材料・デバイス
• 研究機関: 静岡大学
• 研究代表者: 小林 健吉郎 静岡大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (20153603)
• 研究期間 (年度): 2011 – 2013
• キーワード: 非晶質 / ｐｎ制御

研究概要

本研究はAl-NクラスターをInGaZnO4にドープすることによりｐ型InGaZnO4を得ることを目的としている。InGaZnO4とAlNの混合紛体をターゲットとし、スパッタリング法により薄膜を作製した。高真空2x10-3 Torrではｐ型薄膜は得られなかった。これに対して低い真空2x10-2　Torrでは、7% AlNターゲットで0.6% O2では500 MΩの抵抗を示すｐ型InGaZnO4薄膜が得られた。このp型InGaZnO4薄膜の抵抗率210Ωcm、正孔の濃度7.5×1017 cm-3 易動度0.4 cm2/Vsを得た。InGaZnO4のpｎ接合は明確な整流特性を示した。

研究成果

• [雑誌論文] Photoluminescence of ZnO quantum dots films prepared by low temperature chemical vapor deposition (2013)
  • 著者名/発表者名: X. Zhang, K. Kobayashi, Y. Tomita, Y. Maeda, and Y. Kohno
  • 雑誌名: physica status solidi c 巻: 10巻 ページ: 1576-1579
  • DOI: 10.1002/pssc.201300229
  • 査読あり
• [雑誌論文] p-type ZnO films prepared by alternate deposition of ZnO and Mg_3N_2 films (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Kobayashi, T. Koyama, X. Zhang, Y. Kohono, Y. Tomita, Y. Maeda, and S. Matsushima
  • 雑誌名: J. Phys. Chem. Solids 巻: 74巻 ページ: 80-85
  • DOI: 10.1016/j.jpcs.2012.08.003
  • 査読あり
• [雑誌論文] Possibility for hole doping into amorphous InGaZnO_4 films prepared by RF sputtering (2011)
  • 著者名/発表者名: Kenkichiro Kobayashi, Yoshiumi Kohno, Yasumasa Tomita, Yasuhisa Maeda, and Shigenori Matsushima
  • 雑誌名: phys. status Solidi (c) 巻: 8 ページ: 531-533
  • DOI: 10.1002/pssc.201000442
  • 査読あり
• [学会発表] Preparation of Amorphous p-type InGaZnO4 Films by Codoping of Al and N Atoms (2012)
  • 著者名/発表者名: Kenkichiro Kobayashi, Xinyu Zhang, Yoshiumi Kohno, Yasumasa Tomita, Yasuhisa Maeda
  • 学会等名: IDW'12
  • 発表場所: Kyoto
  • 年月日: 20121204-07
  • 招待講演
• [備考]
  • URL: http://kobaken.eng.shizuoka.ac.jp/kobayashi_hp/