着磁実験及びシミュレーション解析により、様々な超伝導バルク(REBCO, MgB2)や様々なコイル(ソレノイド型、スプリット型)を用いたパルス着磁(PFM)および磁場中冷却着磁(FCM)における捕捉磁場向上への検討を行った。2次元及び3次元の電磁界と温度の連成問題を有限要素法により着磁現象を解析するモデルを構築し、実験結果をシミュレーションにより再現した。 高性能なMgB2のPFMにおいては、高磁場印加でflux jumpが顕著に実験的に観測された。これは安定性パラメータと最小伝搬領域の解析で、特性の低いバルクと比べflux jumpが起こりやすいことが分かった。
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