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微量窒素を導入したナノ構造化合物半導体を用いた中赤外用光デバイスの開発を行った。具体的にはInP基板をベースとした波長２μｍ帯のInAsSbN歪量子井戸レーザーと同じくInP基板をベースとした波長２μｍ帯の光源・光検出器として有用なInGaAsN/GaAsSbタイプII量子井戸光デバイスを作製を行った。前者に関しては量子井戸幅３ｎｍの歪量子井戸レーザーを分子線成長法（ＭＢＥ）で作製し、２２０Ｋで波長2.36μｍのレーザー発振を実現することが出来た。また後者に関しては窒素導入量１％の組成において室温での発光波長2,86μｍのエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）を観測することに成功した。
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