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近年、多種多様なデバイスが開発され実用化に向けて研究がなされている。デバイスの物性解明には電子状態の測定が必要不可欠である。本研究では申請者のグループが開発したバイアス電圧印加硬X線光電子分光法を用いてデバイス動作下での電子状態の直接観測を行う。この手法は作製した素子をそのままの状態でかつバイアス電圧印加状態で電子状態が測定可能な手法である。本研究でデバイス動作下硬X線光電子分光法を用いて、極薄酸化物/半導体界面の界面準位のエネルギー準位の直接観測、ゲートスタック構造のポテンシャル分布の電圧依存性の直接観測、酸化物抵抗変化メモリのメカニズム解明に成功した。
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