超小型・完全モノリシック型光パラメトリックチャープパルス増幅器の開発

2013 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 23560046
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 応用光学・量子光工学
• 研究機関: 独立行政法人日本原子力研究開発機構
• 研究代表者: 山川 考一 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門 量子ビーム応用研究センター, 研究主幹 (40360408)
• 連携研究者: 赤羽 温 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門量子ビーム応用研究センター, 研究副主幹 (00370338)
• 研究期間 (年度): 2011 – 2013
• キーワード: 応用光学 / 光パラメトリックチャープパルス増幅 / 高機能レーザー

研究概要

低炭素社会の実現に向けた次世代高機能加工技術を確立するため、堅牢で安価、高安定、小型、メンテナンスフリーな高出力フェムト秒レーザーの開発を行った。新たに開発したガラスブロック内部を多重反射する一体型のパルス伸張器/圧縮器および光パラメトリックチャープパルス増幅器を用いてパルス伸張-増幅-圧縮実験を行った結果、小型のガラスブロックのみで最適にパルス伸張および圧縮を行うことに成功した。

研究成果

• [雑誌論文] Ultrafast, Optical-Parametric Chirped-Pulse Amplification System using a Block of Transparent Material for Pulse Stretching and Compression (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Yamakawa, Y. Akahane, K. Ogawa
  • 雑誌名: Journal of Laser Micro/Nano Engineering 巻: vol.7 ページ: 316-319
  • 査読あり
• [学会発表] 先端固体レーザー開発とX線自由電子レーザーへの応用 (2013)
  • 著者名/発表者名: 山川考一
  • 学会等名: レーザー学会学術講演会第31回年次大会
  • 発表場所: 日本原子力研究開発機構関西光科学研究所、京都府木津川市
  • 年月日: 2013-03-14
  • 招待講演
• [学会発表] Cryogenically-cooled ytterbium-doped solid-state laser technologies (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Yamakawa
  • 学会等名: The 7^<th> Asian Symposium on Intense Laser Science
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2012-11-08
  • 招待講演
• [学会発表] Cryogenically-cooled ytterbium-doped solid-state laser technologies for OPCPA pumping (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Yamakawa
  • 学会等名: 5^<th> Asian Workshop on Generation and Application of Coherent XUV and X-ray Radiation
  • 発表場所: Chiba, Japan
  • 年月日: 2012-06-29
  • 招待講演
• [学会発表] 低温冷却型Yb添加固体レーザー (2012)
  • 著者名/発表者名: 山川考一
  • 学会等名: レーザー学会学術講演会第31回年次大会
  • 発表場所: TKP仙台カンファレンスセンター、宮城県仙台
  • 年月日: 2012-01-31
  • 招待講演
• [学会発表] 100-mJ diode-pumped, cryogenically-cooled Yb : YLF chirped-pulse regenerative amplifier (2011)
  • 著者名/発表者名: K. Yamakawa
  • 学会等名: IEEE Photonics 2011 Conference
  • 発表場所: Arlington, Virginia, USA
  • 年月日: 2011-10-11
• [備考]
  • URL: http://wwwapr.kansai.jaea.go.jp/
• [産業財産権] 固体レーザー装置 (2013)
  • 発明者名: 山川考一、赤羽温
  • 権利者名: 独立行政法人日本原子力研究開発機構
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 特願2013-269085
  • 出願年月日: 2013-12-26
  • 外国
• [産業財産権] Solid-state laser apparatus (2011)
  • 発明者名: 赤羽温、杉山僚、山川考一
  • 権利者名: 独立行政法人日本原子力研究開発機構
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: US Patent No.7995629
  • 取得年月日: 2011-08-09