研究課題
基盤研究(C)
本研究では、電子機器の小型化を可能にするLSIチップの３次元積層の接続手段であるシリコン貫通電極（TSV）作成の最適条件を、動的モンテカルロシミュレーションにより研究した。問題は、高アスペクト比の孔（TSV）を空孔を生じることなくいかに充填するかである。硫酸銅めっきに４種類の添加剤を加え、パルス電流など様々な電析条件を変えてシミュレーションを行い、結果を検討した。その結果、添加剤濃度や電流波形などの最適条件を求めるとともに、TSV埋め込みのメカニズムについて多くの知見を得た。この成果は、実験結果によく対応し、TSV作成技術に大いに貢献すると期待できる。
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