研究課題
基盤研究(C)
本研究ではフッ素化剤を用いた新しい光エッチング法を提案した。シリコン表面にフッ素化剤のN-フルオロピリジニウム塩を塗布し、シリコンのバンドギャップより高いエネルギーの光を照射すると、塩のN-F結合が光励起された電子を受け取って壊れ、F活性種を放出してシリコンと反応し、SiF4を生成して乖離することで、シリコンが選択的にエッチングされる。エッチング速度は光強度や光照射時間や温度に依存しており、これらの条件を制御することで一度の光照射でステップ形状や球面形状の作製を行うことができた。シリコン平面の絶対平面度を、近赤外干渉計を用いた三面合わせ法に基づく三交点法により測定した。
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Nanoscale Research Letters
巻: 8 ページ: 275-1-275-7
10.1186/1556-276X-8-275
Current Applied Physics
巻: 12 ページ: S29-S32
http://www.sciencedirect.com/science/journal/15671739/12/supp/S4