研究課題/領域番号 |
23560144
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研究機関 | 舞鶴工業高等専門学校 |
研究代表者 |
清原 修二 舞鶴工業高等専門学校, 電子制御工学科, 准教授 (40299326)
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研究分担者 |
石川 一平 舞鶴工業高等専門学校, 電子制御工学科, 講師 (10511735)
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キーワード | ナノインプリント / ダイヤモンドライクカーボン / ナノ加工 / ポリシロキサン / 酸素イオンビーム / ガラス状炭素モールド |
研究概要 |
新たなダイヤモンドのナノ加工法として,室温硬化インプリント‐リフトオフ(RTCIL)法を提案した。マスクとして用いるAlは酸素イオンに対するエッチング耐性が大きく,極めて高い選択比 (ダイヤモンドライクカーボン(DLC)とAlの加工速度の比) 35を得ることができた。そこで,本研究ではRTCIL法によるAlマスクパターンの形成を行い,DLCナノドットアレイの形成について検討した。 ガラス状炭素モールドの作製・・ポリシロキサンを用いた電子ビーム(EB)リソグラフィによりガラス状炭素(GC)モールドの作製プロセスを開発した。まず,ポリシロキサンをGC上にスピンコートし,EB描画装置で5μm角のドットアレイパターンをCADで設計し,描画した。そして,現像液で現像することで,ポリシロキサンのマスクパターンが形成され,最適加工条件でECR酸素イオンシャワー加工を行うことで,5μm角ドットアレイパターンのGCモールドを作製した。 卓上型インプリントシステムのプログラムの改良・・Microsoft Visual C#を用いることで,マルチスレッドをシステムで実装した。その結果,タイマーと圧力値を同期させることが可能となり,圧力値によるインプリントシステムの制御が可能となった。 RTCIL法によるDLCドットアレイの作製・・まず,DLC基板上にポリシロキサンをスピンコート後,0.5 MPaでインプリントを行った。その後,DLCに対するAlの選択比が35であることから,高さ400 nmを得るため,膜厚が20 nmとなるようにポリシロキサン膜上にAlを蒸着した。その後,アセトンでポリシロキサンを取り除き,Alのマスクパターンを形成した。この基板に最適加工条件でECR酸素イオンシャワー加工することより,高精度な5 μm角,高さ400 nm のDLCドットアレイを作製した。
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現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
GCモールド作製において,所望のパターンが得られており,目標通りに成果が得られている。 卓上型インプリントシステムにおいては,問題点であったタイムラグを修正し,目標としていた圧力で制御するシステムを作成できたが,目標圧力と実際のインプリント圧力に誤差が生じるため,サンプリング時間を短くし,高性能化するため,通信方法を検討する必要がある。 DLCドットアレイの作製においては,RTCIL法により高精度なDLCドットアレイを作製できることを見出したが,形成した3万個あるAlマスクパターンのうち約3割がアセトンによってリフトオフできず,側面にAlが残ってしまった。高精度なAlマスクパターンを形成する条件を検討する必要がある。
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今後の研究の推進方策 |
本研究で開発したダイヤモンドのナノ加工プロセスである,室温硬化インプリント‐リフトオフ(Room-temperature curing imprint liftoff:RTCIL)法は, Alは酸素イオンに対するエッチング耐性が大きく,極めて高い選択比 (ダイヤモンドとAlの加工速度の比) を得ることができた。そこで,本研究ではRTCIL法によるAlマスクパターンの形成を行い,DLCナノエミッタの開発を目的とする。 高精度なAlマスクパターンの作製方法として,リフトオフに用いる溶剤,インプリント条件の検討を行う。リフトオフに用いる溶剤には,アセトン,キシレン, MIBK:IPA=1:1, 1:2,1:3を用いて,アルミニウム薄膜の表面粗さの検討および,転写材料をすべて除去可能か検討を行う。インプリント条件については,新たな転写材料において,インプリントまでの時間,インプリント保持時間,インプリント圧力について検討し,残膜が残らず基板までインプリント可能な最適条件の検討を行う。また,先鋭化した形状のDLCパターンを作製するために,DLC,Alのイオンビーム角度依存性について測定し,Alマスクの膜厚,加工時間の条件を変化させ,シミュレーションを行うことで最適な加工条件を見出し,実際にECR酸素イオンシャワー装置で加工を行い,DLCナノエミッタを作製する。
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次年度の研究費の使用計画 |
新たな転写材料であるHSQをベークするための小型電気炉の購入 ストレインゲージ式圧力インジケータの購入
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