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2013 年度 研究成果報告書

結晶粒径制御によるナノ結晶シリサイドの作製とナノコンタクト界面の形成に関する検討

研究課題

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研究課題/領域番号 23560353
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関北見工業大学

研究代表者

野矢 厚  北見工業大学, 工学部, 教授 (60133807)

研究分担者 武山 真弓  北見工業大学, 工学部, 准教授 (80236512)
研究期間 (年度) 2011 – 2013
キーワード電気・電子材料 / シリサイド
研究概要

広い温度範囲(350~750℃)で相安定なNiSiの結晶粒径を小さくして、形成されるシリサイド/Si界面の平坦化を検討した。Si基板にスパッタ堆積するNiの粒径成長を抑えて、適度に反応が起こるような基板温度と、その後の熱処理温度が結晶粒径制御に重要であった。温度の設定によっては、高温相NiSi2の低温成長が起こり、界面の平坦性を損なう現象が見られた。この要因は、加熱Si基板へのNi堆積により、アモルファス拡散層が形成され、Si-richな組成領域から高温相が凝縮するものと推察された。この確認のために、薄い酸化層を残したSi基板で、Ni拡散を抑制することにより、NiSi2の低温形成を確認した。

  • 研究成果

    (5件)

すべて 2014 2013 2012 2011

すべて 学会発表 (5件)

  • [学会発表] Ni/Si系におけるNiSi2相の低温形成2014

    • 著者名/発表者名
      野矢, 武山
    • 学会等名
      電気学会電子・情報・システム部門大会
    • 発表場所
      松江市(発表予定)
    • 年月日
      20140900
  • [学会発表] 酸化層の介在したNi/Si系でのシリサイド反応2013

    • 著者名/発表者名
      野矢, 武山
    • 学会等名
      電子情報通信学会総合大会
    • 発表場所
      新潟市(C-6-3)
    • 年月日
      20130300
  • [学会発表] Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成2012

    • 著者名/発表者名
      野矢, 武山, 佐藤, 徳田
    • 学会等名
      電子情報通信学会技術研究報告
    • 発表場所
      (vol.112,No.265,pp.49-53,CPM2012-102)
    • 年月日
      20121000
  • [学会発表] Ni/Si固相反応におけるNiSi-NiSi2相の低温での共存形成2012

    • 著者名/発表者名
      野矢, 佐藤, 武山
    • 学会等名
      2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会
    • 発表場所
      富山市(C-6-1)
    • 年月日
      20120900
  • [学会発表] NiSi相の形成とCuコンタクトへの適用2011

    • 著者名/発表者名
      武山, 佐藤, 野矢
    • 学会等名
      電子情報通信学会技術研究報告
    • 発表場所
      (vol. 111, No.264, pp. 41-45, CPM2011−117)
    • 年月日
      20111100

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公開日: 2015-07-16  

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