研究課題
基盤研究(C)
四元化合物半導体Cu2ZnSnSe4およびCu2ZnSnS4結晶を垂直ブリッジマン法にて育成した。光吸収測定の結果、Cu2ZnSnSe4およびCu2ZnSnS4は共に直接遷移型の半導体であり、バンドギャップエネルギーは、10 Kにて、それぞれ1.12 eV、1.48 eVであることがわかった。温度変調反射スペクトルにおいては、E0-E6の臨界点の構造が明確に観測された。第一原理バンド計算により、これらの臨界点がブリルアンゾーンのどの点における遷移であるかを明らかにした。
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