研究課題
基盤研究(C)
ZnTeは優れた高輝度純緑色発光ダイオード用の材料として期待されている。本研究では、p型ZnTe/ n型ZnOのヘテロエピタキシャル成長特性の解明を目的とした。n型ZnO基板上に有機金属気相成長法を用いて、ZnTeの薄膜成長を行い、X線回折法、ラマン分光法、フォトルミネッセンス法等により評価した結果、p型のZnTe(111)のエピタキシャル膜が得られていることが明らかとなった。また、ヘテロ接合ダイオードの電圧電流特性を測定し、ダイオードの整流特性が観測された。これらの研究成果は、Applied Physics Letters等の国際学術論文誌に公表した。
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すべて 雑誌論文 (6件) (うち査読あり 6件) 学会発表 (9件) (うち招待講演 5件) 備考 (1件)
Phys. Status Solidi C
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10.1002/pssc.201300642
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