ＳＰＶ法によるボトムゲート型ＴＦＴにおける多結晶Ｓｉ薄膜の結晶性評価技術の開発

2013 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 23560372
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 日本大学
• 研究代表者: 池田 正則 日本大学, 工学部, 教授 (10222902)
• 研究分担者: 清水 博文 日本大学, 工学部, 教授 (10318371)
• 研究期間 (年度): 2011 – 2013
• キーワード: 表面光電圧 / 多結晶シリコン薄膜 / 薄膜トランジスタ / 結晶性評価

研究概要

交流表面光電圧法による非接触・非破壊での多結晶シリコン薄膜の結晶性評価装置の開発を行った。発光ダイオードからレーザダイオードへの励起光源の変更により，多結晶シリコン薄膜から得られる表面光電圧の高感度化を達成した。エキシマレーザアニールにより多結晶化された膜厚約50nmのシリコン薄膜では，約1mV/nmの分解能を示した。また，測定において励起光の高パワー化によるAC SPV の飽和という問題点があることを明らかにした。

研究成果

• [学会発表] 表面光電圧法による熱処理したアモルファスSi薄膜の結晶性評価 (2013)
  • 著者名/発表者名: 葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
  • 学会等名: 日本表面科学会第33回表面科学学術講演会
  • 発表場所: つくば国際会議場(27P76)
  • 年月日: 2013-11-27
• [学会発表] 表面光電圧法による熱処理したa-Si薄膜の結晶性評価 (2013)
  • 著者名/発表者名: 葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
  • 学会等名: 平成25年度電気関係学会東北支部連合大会
  • 発表場所: 会津大学(1C09)
  • 年月日: 2013-08-22
• [学会発表] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価 (2013)
  • 著者名/発表者名: 葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
  • 学会等名: 平成24年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会
  • 発表場所: 日本大学工学部
  • 年月日: 2013-03-12
• [学会発表] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
  • 学会等名: 平成24年度電気関係学会東北支部連合大会
  • 発表場所: 秋田県立大学本荘キャンパス(2H15)
  • 年月日: 2012-08-31
• [学会発表] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
  • 学会等名: 福島県ハイテクプラザ研究成果発表会
  • 発表場所: 福島県ハイテクプラザ
  • 年月日: 2012-07-24
• [学会発表] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
  • 学会等名: Cat-CVD研究会第9回研究集会
  • 発表場所: 日本大学生産工学部(P-04)
  • 年月日: 2012-06-23
• [学会発表] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
  • 学会等名: 平成23年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会
  • 発表場所: 東北大学多元研(P-16)
  • 年月日: 2012-03-09
• [学会発表] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
  • 学会等名: 平成23年度電気関係学会東北支部
  • 発表場所: 東北学院大学(2H12)
  • 年月日: 2011-08-26