|
これまでのCu導線及び抵抗体、積層キャパシタ素子の形成技術及び回路形成技術について、その成果は日本工業出版社の「プラスチックス」の雑誌（2013年４月号）の紹介記事でまとめた。また、４素子を同時に精度よく静電容量素子を形成するため、先ずビームスプリッターで精度良く赤外線の光量を分けることが必要なため、赤外線フォトダイオード(22ANT3MTLC2710P）を使い、オリジナルの赤外線用照度計を作製した。その照度計の精度を確かめたところ、ビームスプリッターの傾き”１度”の変化で約７％の電圧変化として検出できることが確認された。
その照度計を利用して、先ずは２素子を同時に作製した。その際、ビームスプリッターの調整具合を見るために、①赤外線センサーのみ調整して２素子を形成した場合は精度約17％であったが、形成された溝を計測してビームスプリッターの角度の微調整をさらに加えて素子を形成したところ、高精度の6％弱の素子を形成することに成功した。その研究結果は久留米で開催された高専シンポジウムで発表した。その後、YAGレーザー用の反射鏡を使い２素子から４素子作製可能な装置を完成させて、さらに超音波モーターの使用で、噴射ノズルを自動で微小移動させて、２種類の微粒子をノズルを変えて噴射できるようにして静電容量素子を作製できるようにした。しかし、システムの完成後、素子の作製を試みようとしたところ、突然、レーザー発生装置が故障し、素子の作製が不能となってしまった。飛散防止の配慮をしていたにも関わらず電極用の導電性微粒子が装置内に侵入したためと考えられる。また、装置を高度化するため微粒子への付着物などの影響を少なくするため清浄した微粒子を活用した素子の作製を考えていたが、上述のようにレーザー発生装置の故障で、そこまで実行できなかった。
|
