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金属フリーシリコンクラスレートを合成する方法として、希ガスSi化合物を合成し、それを加熱することによりクラスレート化させる実験を行なった。最初に用いた合成法は，希ガスSi化合物の合成にはSiを希ガスプラズマで叩いて成膜するスパッタ法である。しかし、希ガスの含有率が少ないこと酸素が不純物として含まれたため、次にイオン注入法を用いて結晶SiウエハにXeイオンを打込むことでXeとSiの化合物を合成した。真空中の加熱ではXeが抜けたので、Ar雰囲気で100気圧で加熱することにより、530℃でXeの抜けを防止することに成功した。今後の希ガスをゲストとしたシリコンクラスレートの合成の基礎データが得られた。
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