研究課題
基盤研究(C)
単電子トランジスタ(SET)の電力利得向上は、回路応用時の動作速度向上に重要な改善要素となる。このためSETの電力利得向上のメカニズムを検討し、ソース接合厚が電力利得向上のためのキーファクタであることを見出した。この接合厚を1.25nmまで薄くすると、従来の標準的SET構造に比べて39dBの電力利得改善が、直流からTHz帯に亘って実現できる見通しとなった。
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