2013 年度研究成果報告書

低電力動作可能な不揮発ＳＲＡＭに関する研究

研究課題

研究課題/領域番号	23560391
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	基金
応募区分	一般
研究分野	電子デバイス・電子機器
研究機関	金沢大学
研究代表者	中山和也金沢大学, 保健学系, 准教授 (80242543)
研究期間 (年度)	2011 – 2013
キーワード	不揮発性メモリ / SRAM / ReRAM
研究概要	多値記録可能な不揮発性メモリ（ReRAM）とSRAMを組み合わせたメモリに関する研究をおこなった。提案メモリセルは、2つの参照抵抗とプログラム可能な抵抗を通常のSRAMに接続したものである。 1つのセルは9個のトランジスタと3個の抵抗から構成され、電源を切る時に2bit記憶することができる。データをセルに書き込む時、可変抵抗の値を下げるべきなのか、上げるべきなのか、変更しなくて良いのかを判定する回路が通常必要であるが、今回提案する方式ではこの判定回路は不要である。また先行研究よりも安定にリコールできる方法を考案することができた。