研究課題
基盤研究(C)
小型,高消光比,低消費電力であるLSI上光配線用シリコン光変調器の開発を目標として,金属-酸化膜-半導体(MOS)構造を有し,度を制御するシリコン光変調器の実現可能性を理論,実験の両面から検討した。表面プラズモンとは金属-誘電体界面に生じる電子の集団運動と電磁波の連成波である。数値解析から提案する素子は数十umのサイズで高い消光比が得られることが分かった。また実際に素子を試作し,表面プラズモン共鳴によるものと思われる光変調を確認した。
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Proc. SPIEProc. SPIE 8431, Sili- con Photonics and Photonic Integrated Cir- cuits III
巻: 8431 ページ: 84311K-1 – 84311K-6
10.1117/12.922864