研究課題
基盤研究(C)
我々は、これまでに中性子照射した黒鉛が衝撃圧縮下で微結晶ダイヤモンドの極限状態であるアモルファスダイヤモンドに直接変換することを発見している。今回、そのバンドギャップがC60フラーレンを初期試料として生成されたアモルファスダイヤモンドと、ほぼ同じ4eVであることが示された。また、約半分の中性子照射量の黒鉛でもアモルファスダイヤモンドに変換することが示された。一方、カーボンナノウォールを初期試料として用いた場合でも透明なタイルの生成が確認されたが、アモルファスダイヤモンドと超硬黒鉛の混在した構造であることが示唆された。
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