研究課題
基盤研究(C)
金属/半導体界面を有するTEM観察用薄片サンプルについて、極めて均一かつ、ダメージレスな観察サンプルを仕上げる技術を確立した。この技術により作製された金属/半導体界面を有するサンプルに、ピエゾ駆動で電圧印加可能なホルダーを用い、順バイアスおよび逆バイアスを印加し、金属/半導体界面の電流-電圧測定と電子線ホログラフィーによる金属近傍の半導体内部における電位分布の変化から、空乏層と電界の変化をとらえることができた。
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