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本研究では、半導体/半導体界面を対象として、単一界面の熱抵抗の測定手法を確立した。分子動力学シミュレーションを用いて、Si/Geの理想界面、空孔を含む界面、および原子拡散のある界面に対して、界面付近のフォノンDOSと緩和時間を解析し、界面熱抵抗を計算した。界面付近のフォノンDOSの変化、フォノン緩和時間の周波数依存性、およびそれらの界面熱抵抗に対する影響を解明した。スパッタ成膜したGe(Si)のアモルファス・多結晶薄膜を用いて、Ge(Si)薄膜の面外方向の熱伝導率、およびSi/Geの界面熱抵抗を測定した。Si/Geの界面熱抵抗は、界面の結晶状態やラフネス等に強く依存することが分かった。
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