研究課題
基盤研究(C)
高圧圧入法を用いて長さ1mm以上の単結晶Biナノワイヤー熱電変換素子の開発を行った。収束イオンビームのナノ加工とその場電極形成により、ワイヤー直径4μm,700nmのワイヤー両側面に局所電極の形成に成功した。これによって、4端子抵抗測定ならびにホール測定を行うことが出来た。抵抗測定から、ナノワイヤーの抵抗が数kΩであったとしても、電極とワイヤー間との接触抵抗が無視できないことが明らかになった。ホール測定から、電子・ホールの各移動度の温度依存性を実験的に明らかにした。その結果、低温領域での抵抗率の上昇は、キャリアの平均自由行程の制限によるものであると結論づけられた。
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Nanoscale Research Letters
Applied Physics Express
巻: Vol. 6, 045002
Journal of Electronic Materials
巻: Vol. 42 ページ: 2143-2150
巻: Vol. 42 ページ: 2048-2055
巻: Vol. 41 ページ: 1442-1449
http://www.env.gse.saitama-u.ac.jp/hasegawa/