研究課題
基盤研究(C)
高温スパッタ法によりNb:TiO2(101) (Nb = 0.79 mass%)基板上に膜厚約3μmのBi3.25Nd0.75Ti3O12 (BNT-0.75)及びBi3.25Nd0.75-xEuxTi3O12 (BNEuT, x = 0-0.75)薄膜の作製を行い、ナノプレート構造体作製のための至適なスパッタ諸条件 (過剰Bi2O3量、基板加熱温度、ガス圧及び有効電力密度)を明らかにした。作製したビスマス層状構造強誘電体ナノプレートの物性評価を詳細に行い、当該材料が強誘電・圧電・マルチフェロイック応用に有望であることを実証した。
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http://www.eng.u-hyogo.ac.jp/msc/msc6/