2012 年度研究成果報告書

イオン注入によるシリコン基板中へのシリサイド量子ドット規則配列格子の作製

研究課題

研究課題/領域番号	23651087
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	基金
研究分野	ナノ構造科学
研究機関	北海道大学
研究代表者	坂口紀史北海道大学, 大学院・工学研究院, 准教授 (70344489)
研究期間 (年度)	2012
キーワード	表面 / 界面ナノ構造
研究概要	シリコンウェハへの金属イオン注入とその後のウェハ直接接合・アニールにより、接合ウェハ界面にシリサイド量子ドットを規則的に配列させることを試みた。ウェハ直接接合により形成されるらせん転位網の節が析出物の優先核形成サイトになりうることが明らかとなり、シリコン酸化物量子ドットの規則配列に成功した。一方、シリサイド量子ドット形成のためには、ウェハ表面の損傷を低減した金属イオン注入技術が必要であることが示唆される。