| 研究概要 |
トレンチ構造を有する Si 基板のトレンチ側壁に垂直に,RF-MBE 法を用いることで,GaN ナノワイヤを成長することに成功した。また,デバイスに応用した際に分極電場やバッファー層等による悪影響を少なくするために,バッファー層を介さずに InGaN ナノワイヤを直接 Si 基板上に成長することに成功した。ただし,InGaN ナノワイヤの場合 GaN と比較すると光学特性に影響が出ると予測される双晶が発生することがわかり,双晶の発生と光学特性との関係を調べた。最後に,今後の応用デバイスのためにグラフェン上への GaN ナノワイヤ成長の検討を行い,高配向性グラフェン基板上にも GaN ナノワイヤの成長を確認した。
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