2011 年度研究成果報告書

パルス状窒素ラジカル供給による超高品質InGaN超格子PAMBE成長

研究課題

研究課題/領域番号	23656015
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	基金
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	名古屋大学
研究代表者	天野浩名古屋大学, 工学研究科, 教授 (60202694)
研究分担者	山口雅史名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (20273261) 本田善央名古屋大学, 工学研究科, 助教 (60362274)
研究期間 (年度)	2011
キーワード	PAMBE / InGaN / 窒素ラジカル / LED / 太陽電池
研究概要	プラズマ援用分子線エピタキシー法を用いて、高発光効率高In組成InGaNの成長を試みた。その結果、超格子構造の形成により、結晶欠陥の少ない高In組成InGaN成長が可能であること、及びInGaNナノワイヤの発光効率は積層欠陥密度と強い依存性があり、より高温、高Inフラックス比での成長が高発光効率InGaNナノワイヤ実現に必要であることが明らかとなった。