研究課題
挑戦的萌芽研究
BiFeO_3/CoFe_2O_4二層膜をもちいてBiFeO_3に電界を印加することにより室温でCoFe_2O_4の磁区を反転させることに成功しており、研究達成度は100%である。さらに、電圧を膜厚方向へ印加できる縦型構造とすることにより、従来の横型構造に比べて電圧を1/20にまで低減させることに成功した。また、150nmの磁区を反転させることに成功しており超高密度の不揮発性メモリが期待できることが明らかとなった。このように当初の計画を大幅に超える成果を得ることに成功した。
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