2012 年度研究成果報告書

金属ガラスフラックスを介したSiC単結晶の気相成長法の開発

研究課題

研究課題/領域番号	23656028
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	基金
研究分野	薄膜・表面界面物性
研究機関	東京工業大学
研究代表者	松本祐司東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 准教授 (60302981)
研究期間 (年度)	2011 – 2012
キーワード	薄膜 / 金属ガラスSiC
研究概要	本研究では、金属ガラスフラックス(融液)探索のためのレーザー加熱型の真空レーザー顕微鏡の開発を行い、SEMのその場観察の結果と併せて、金属ガラスのSiC単結晶上での溶解と偏析過程を明らかにした。また、Si-Niフラックスを用いて、フラックス成長を試みたところ、結晶グレインサイズの大幅な拡大と表面平坦化が達成され、高品質化を目的としたSiC薄膜成長におけるフラックス気相成長法の有効性が実証された。