研究課題
挑戦的萌芽研究
応力を受けるSiの電気特性変動について,バルクシリコンの移動度特性はよく表されているものの,nMOSFETについては実験結果から得られる移動度変化との乖離が残った. この応力によるnMOSFETの移動度の変化についての理論値と実験値の乖離について,真性キャリア濃度の変化と電子がnMOSFETのチャネル化の非常に薄い層に偏在することによる,二次元量子化の影響について検討を行った. その結果,ひずみによる真性キャリア濃度変化の電気特性変動に対する寄与は比較的小さいことが分かった.また,反転層における 表面量子化の考慮も十分に現象を表現するには至らなかった.
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