2012 年度研究成果報告書

超短パルス高出力フラッシュランプ照射による単結晶シリコン加工変質層の完全修復

研究課題

研究課題/領域番号	23656094
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	基金
研究分野	生産工学・加工学
研究機関	慶應義塾大学 (2012) 東北大学 (2011)
研究代表者	閻紀旺慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (40323042)
研究期間 (年度)	2011 – 2012
キーワード	超精密加工 / 加工変質層 / 単結晶シリコン / フラッシュランプ / レーザ
研究概要	超短パルス高出力フラッシュランプを単結晶シリコン機械加工面に照射し、加工変質層の修復を試みた.表層アモルファスシリコンの溶融・再結晶の過程を解明するために分子動力学を用いてシミュレーション解析を行い、レーザ照射との比較を行った.また、シリコン研削面および切削面を実験対象として照射実験を行った結果、加工変質層の修復効果が確認された。一方、問題点として、照射時の衝撃波によるウエハ破壊が観察された。