研究課題
挑戦的萌芽研究
ナノメートルオーダの周期構造を安定に形成する材料・プロセス技術は、将来の電子デバイスの量産に際して基盤技術となる。本研究ではスパッタリングをベースとしたドライプロセスのみにより、上記配列組織を形成させる技術を検討した。立方晶/正方晶系材料については、結晶軸配向制御技術および大粒径化技術を確立し、窒素ガス吸着/窒化プロセスによりCu(001)/CuN表面上で、金属ナノアイランドの周期的初期核配列形成に成功した。六方晶系材料についてはc面配向・大粒径化技術まで確立した。
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