2012 年度研究成果報告書

格子歪みを誘起したシリコン基板上への無転位ゲルマニウム層の形成

研究課題

研究課題/領域番号	23656208
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	基金
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	東京大学
研究代表者	石川靖彦東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (60303541)
研究期間 (年度)	2011 – 2012
キーワード	結晶成長 / エピタキシャル / 格子欠陥 / 電子・電気材料 / 半導体物性 / ゲルマニウム / シリコン / シリコンフォトニクス
研究概要	パターン化したSiN_x膜を応力源としてSi基板表面へ引っ張り格子ひずみを導入し、Geとの格子不整合を減少させることで、Ge層中の転位密度を低減する方法を検討した。応力源となるSiNx膜上にSiO_2膜を形成した二層マスクを用いることで、Si露出部分のみへのGe選択成長を実現した。Ge層の貫通転位密度は、従来のSiO_2マスクの場合と顕著な違いはなく、1^09cm^-2となった。今回の実験の範囲では貫通転位密度を低減することはできなかったが、SiO_2/SiN_x二層マスクによるGe選択成長の実現など新たな知見が得られた。