Pのサーファクタント効果とスパッタエピタキシー法によるSi上Ge平坦膜の形成技術

2012 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 23656210
• 研究種目: 挑戦的萌芽研究
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東京農工大学
• 研究代表者: 須田 良幸 東京農工大学, 大学院・工学研究院, 教授 (10226582)
• 研究期間 (年度): 2011 – 2012
• キーワード: 作成 / 評価技術 / Ge / 仮想基板 / エピタキシー / SK成長

研究概要

代表者の開発したスパッタエピタキシー法を用いて提案した高濃度Pドープ基板上へのGe直接平坦化成長する方法について系統的に解析し,Si/Ge界面に90°転位が発生し,僅かな歪を残して平坦成長する機構を解明した.この転位はスパッタ法でのGeの短い表面泳動長とドープP原子に起因して発生すると考えられる.Bドープ基板でも同様の現象が見られ,本手法を用いたGe仮想基板の作製への応用展開が期待される.

研究成果

• [雑誌論文] Ge Flat Layer Growth on Heavily Phos- phorus-Doped Si (001) by Sputter Epitaxy (2012)
  • 著者名/発表者名: Hiroaki Hanafusa, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 51 ページ: 055502(1)-(4)
  • 査読あり
• [雑誌論文] SiGe Sputter Epitaxy Technique and Its Application to SiGe Devices (2012)
  • 著者名/発表者名: Yoshiyuki Suda, Hiroaki Hanafusa, Mitsuhiro Yoshikawa and Manabu Kanazawa
  • 雑誌名: Procedia Engineering 巻: 36 ページ: 396-403
  • 査読あり
• [学会発表] Effect of Boron Dopant of Si (001) Substrates on Growth of Ge Layers using Sputter Epitaxy Method, Abs (2013)
  • 著者名/発表者名: Takahiro Tsukamoto, Akifumi Kasamatsu, Nobumitsu Hirose, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui and Yoshiyuki Suda
  • 学会等名: 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
  • 発表場所: Kyushu University, Fukuoka
  • 年月日: 20130602-0605
• [学会発表] スパッタエピタキシー法を用いたGe薄膜形成におけるボロンドープSi基板の効果 (2013)
  • 著者名/発表者名: 塚本貴広,広瀬信光,笠松章史,三村高志,松井敏明,須田良幸
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学,厚木
  • 年月日: 20130327-0330
• [学会発表] Nobumitsu Hirose, Takashi Mimura*, and Toshiaki Matsui, SiGe Processes and Devices Using Sputter Epitaxy Method, Abs (2013)
  • 著者名/発表者名: Yoshiyuki Suda, Takahiro Tsukamoto, Akifumi Kasamatsu
  • 学会等名: 6th Int. Workshop New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
  • 発表場所: Tohoku University, Miyagi
  • 年月日: 20130222-0224
• [学会発表] Phosphorus Mediated Growth of Ge Layer on Si (001) Substrate (2011)
  • 著者名/発表者名: Hiroaki Hanafusa, Nobumitsu Hirose, Akifumi, Kasamatsu, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, Harold M. H. Chong, Hiroshi Mizuta, and Yoshiyuki Suda
  • 学会等名: 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Aichi Industry & Labor Center, Nagoya
  • 年月日: 2011-09-30
• [学会発表] SiGe Sputter Epitaxy Technique and Its Application to SiGe Devices, Int (2011)
  • 著者名/発表者名: Yoshiyuki Suda, Hiroaki Hanafusa, Mitsuhiro Yoshikawa and Manabu Kanazawa
  • 学会等名: Union of Materials Research Soc
  • 発表場所: Taipei, Taiwan
  • 年月日: 2011-09-11
• [学会発表] スパッタエピタキシー法で形成したGe薄膜の平坦化機構 (2011)
  • 著者名/発表者名: 花房宏明,広瀬信光,笠松章史,三村高志,松井敏明,須田良幸
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学,山形
  • 年月日: 2011-08-31
• [備考]
  • URL: http://www.tuat.ac.jp/~boss