ニッケル酸化物を活用した超高周波トンネルダイオードの作製:太陽光発電をめざして

2012 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 23656211
• 研究種目: 挑戦的萌芽研究
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 電気通信大学
• 研究代表者: 野崎 眞次 電気通信大学, 大学院・情報理工学研究科, 教授 (20237837)
• 研究期間 (年度): 2011 – 2012
• キーワード: レクテナ / 整流器 / 酸化ニッケル / 光酸化 / 全空乏 / 太陽光発電 / ショットキー

研究概要

NiOxをNi金属間に挟んだトンネルダイオードの研究は最近数多く報告されているが、そのI-V特性において整流性は全く得られていない。本研究では、理論的に整流性が得られない理由を明らかにし、整流性を得るための金属を同定した。また、NiOxがP形半導体であることに注目し、そのキャリア濃度の制御により一方がショットキー、他方がオーミック接合を形成 することを示した。さらにキャリア制御には Ni 金属の UV 酸化が有効であることを示した。

研究成果

• [雑誌論文] Microstructure developments of F-doped SiO2 thin films prepared by liquid phase deposition (2012)
  • 著者名/発表者名: Shijun Yu, Jae Sung Lee, Shinji Nozaki, Junghyun Cho
  • 雑誌名: Thin Solid Films 520 ページ: 1718-1723
  • 査読あり
• [学会発表] Effect of O2/Ni gas ratio on the epitaxial growth of NiO films by metalorganic chemical vapordeposition, (2013)
  • 著者名/発表者名: Teuku Muhammad Roffi, Motohiko Nakamura, Kazuo Uchida and Shinji Nozaki
  • 学会等名: 2013 MRS Spring Meeting
  • 発表場所: SanFrancisco, CA, USA.
  • 年月日: 20130401-20130405
• [学会発表] Intense ultraviolet photoluminescence observed at room temperature from NiO nano-porous thin films grown by the hydrothermal technique (2012)
  • 著者名/発表者名: Sachindra Nath Sarangi, Puratap Kumar Sahoo, Kazuo Uchida, Surendra Nath Sahu, Shinji Nozaki, and Dongyuan Zhang
  • 学会等名: 2012 MRS Fall Meeting
  • 発表場所: Boston, MA, USA
  • 年月日: 20121125-20121130
• [学会発表] Fabrication of a p-NiO/n-Si heterjunction diode by UV oxidation of Ni deposited on n-Si (2012)
  • 著者名/発表者名: Dongyuan Zhang, Kazuo Uchida, and Shinji Nozaki
  • 学会等名: 2012 MRS Fall Meeting
  • 発表場所: Boston, MA, USA.
  • 年月日: 20121125-20121130
• [学会発表] UV酸化による半導体ニッケル酸化物の作製 (2011)
  • 著者名/発表者名: 張東元m小泉淳、小野 洋、内田和男、野崎眞次
  • 学会等名: 電気通信大学・東京農工大学第8回合同シンポジウム
  • 発表場所: 東京農工大学
  • 年月日: 2011-12-10
• [学会発表] XPSによる低温シリコン酸化膜の評価-フレキシブル基板上の集積回 路をめざして (2011)
  • 著者名/発表者名: 野崎 眞次
  • 学会等名: 日本電子 EPMA・表面分析ユーザーズミーティング 2011
  • 発表場所: 東京大学武田先端知ビル
  • 年月日: 2011-10-07
• [学会発表] UV 酸化による半導体ニッケル酸化物の作製 (2011)
  • 著者名/発表者名: 張東元,小泉淳,内田和男,Ramakrishnan Veerabahu,野崎眞次
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学
  • 年月日: 2011-09-01
• [備考]
  • URL: http://www.w3-4f5f.ee.uec.ac.jp
• [産業財産権] 整流素子 (2012)
  • 発明者名: 野崎眞次、内田和男、黒川真吾、古川実、白土正
  • 権利者名: 日本電業工作株式会社、電気通信大学
  • 産業財産権番号: 特許,番号:特願2012-94148
  • 出願年月日: 2012-04-17