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ペロブスカイト型マンガン酸化物薄膜を用いたメモリスター素子において、そのバイポーラー抵抗スイッチングのメカニズムを解明することを目的として研究を進めた。その結果、電気化学インピーダンス法により、薄膜中へのキャリアドープ量が電極界面の抵抗成分の変化に大きな影響を与えていることが分かった。また、分光エリプソメトリー法により、薄膜の誘電関数と素子の抵抗スイッチング特性との間の相関関係を見出した。さらに、薄膜表面にプラズマ還元処理を施すことにより、抵抗スイッチングに必要な電圧値を低減できるという有用な結果が得られた。
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