| 研究概要 |
本研究では、我々により超高速(サブピコ秒)のキャリア緩和を示すことが見いだされたEr,O共添加GaAs (GaAs:Er,O)を新しいテラヘルツ波発生/検出用材料として位置づけ、そのデバイス応用可能性を明らかにすることを目的とした。GaAs:Er,Oを用いたテラヘルツ波発生素子を作製し、フェムト秒レーザの照射を行ったところ、テラヘルツ波の発生が観測された。そのテラヘルツ波強度は照射パワーとともに増大するものの、飽和傾向を示した。また、多層構造素子において、ヘラヘルツ発生性能を評価した結果、テラヘルツ波放射強度の増大を観測した。一方、試作されたGaAs:Er,Oテラヘルツ波検出素子の性能を評価し、テラヘルツ波の検出に世界で初めて成功した。
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