研究課題
挑戦的萌芽研究
半導体中に制御して添加した希薄な不純物は固有の電子状態を通じて不均一エネルギー広がりのない究極の量子ドットとして利用できる。このような量子ドットは励起子と光の相互作用を利用したデバイス応用に期待されている。本研究では GaAs への窒素のδドーピング技術を開発し、窒素ペアに束縛された励起子の微細構造を明らかにした。また、高効率面放出型光子源のデバイス構造を明らかにした。
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