研究概要 |
低温MBE法を利用して,強磁性ホイスラー合金を構成する元素(Fe, Co, Si)の結晶サイト置換を人為的に制御することで,L21-Co2FeSi (CFS)/D03-Fe3Si (FS) 2層構造を実現した.この積層薄膜を横型スピンデバイスのスピン注入電極へ応用するために独自の微細加工技術を開発し,同一基板上の微小領域内に性能の異なるスピンデバイスを作製することに成功した.高効率なスピン偏極電流の生成材料として期待されているホイスラー合金単結晶材料において,スピン偏極率の異なる薄膜を利用したデバイスを自在に配置する技術に発展すると期待される.
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