電子散乱のモンテカルロ法と分子動力学法を組み合わせることにより、分子レベルでパターン形成過程を再現できる電子線リソグラフィシミュレーションを開発した。電子線露光過程はモンテカルロ法により求めたレジスト中の吸収エネルギー分布に基づきレジスト分子の主鎖を切断することで再現した。現像過程は電子線露光により切断された分子切片を小さなものより順に表面から除去して行くことで再現した。開発したシミュレーションにより、パターンの形成過程、ラインエッジラフネス、有機高分子試料の電子線照射損傷を解析することが出来た。
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