研究課題
挑戦的萌芽研究
本研究では、パルスレーザーを磁性体に照射することで励起される電子のスピン緩和過程を計測することで、強磁性体のスピン偏極率を定量化することを目的としている。まず、スピン偏極率が異なると考えられる種々の強磁性金属薄膜試料を作製した。次に、半導体量子井戸耕造を用いてポンプ-プローブ法によりスピン緩和を測定する手法を確立し、本手法を強磁性金属薄膜に適用した。その結果、強磁性金属薄膜のスピン緩和過程が観測された。
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