研究課題
挑戦的萌芽研究
本研究ではCIS系化合物の界面における欠陥形成挙動と物性への影響をしらべた.H23,24年は堆積条件および双晶基板界面の原子構造の調査を行った.計算と高分解能観察により基板界面の原子構造を明らかにした(APL2012).また空孔形成エネルギーのセルサイズ依存性が欠陥準位の局在具合に依存するということを明らかにした(PRB 2012).H25年度においてCIS粒界の構造を決定し,バンドギャップとベンディングが,粒界原子の配位環境に相関してることを突き止めた(APL2014).またSeリッチ雰囲気では粒界への空孔偏析がほとんど起こらないことを明らかにした.(JCerJpn. 2014).
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