2011 年度研究成果報告書

絶縁性基板上新規ナノプロープリソグラフィの開発

研究課題

研究課題/領域番号	23656461
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	基金
研究分野	材料加工・処理
研究機関	京都大学
研究代表者	杉村博之京都大学, 大学院・工学研究科, 教授 (10293656)
研究分担者	一井崇京都大学, 大学院・工学研究科, 助教 (30447908)
研究期間 (年度)	2011
キーワード	走査プローブ顕微鏡 / ナノリソグラフィ / 自己集積化単分子膜
研究概要	絶縁基板におけるナノプローブリソグラフィを目的とし、そのレジスト膜の選定を行った。高精細なナノ加工を実現するためには、シングルナノメートルオーダーの超薄膜である必要がある。そこで本研究では、超薄膜でかつ一様性の高い自己集積化単分子膜(self-assembled monolayer ; SAM)に着目し、その特性を評価した。基板として、代表的な酸化物である酸化アルミニウムを用い、それを被覆可能なSAMとして、アルキルホスホン酸SAMに着目した。アルキルホスホン酸SAMは、原料分子を含むエタノール溶液に基板を浸漬する方法(液相法)により作製した。製膜濃度・温度の最適化により、欠陥がほとんどなく、かつ平坦性の高い高密度なSAMを得ることに成功し、アルキルホスホン酸SAMのレジスト膜としての有用性が確認された。