2012 年度研究成果報告書

耐照射損傷性を有する高効率半導体ガンマ線電池の開発

研究課題

研究課題/領域番号	23656604
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	基金
研究分野	エネルギー学
研究機関	九州大学
研究代表者	橋爪健一九州大学, 総合理工学研究院, 准教授 (70243912)
研究期間 (年度)	2011 – 2012
キーワード	放射線電池 / シリコン / テルル化カドミウム / ガンマ線 / コバルト 60
研究概要	ガンマ線をエネルギー源とするシリコン半導体およびテルル化カドミウム半導体を用いた放射線電池を開発し、5%以上のエネルギー変換に成功した。発電効率は、素子の厚さ、照射温度に顕著に依存した。これらの特性は、照射によって生成した電子-正孔のキャリアの寿命、拡散長に起因することが分かった。また、長期照射に伴う発電効率の低下は避けられなかったが、素子の加熱焼鈍によって回復することが分かった。

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