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今日の電子デバイスのほとんどはシリコンを基礎とした技術に依存している。しかし，これを炭素ベースに置き換える事で，ある種の用途には大きなメリットが生まれ得ることが認識されるようになってきた。そこで本研究では，有機半導体によるデバイスの高度化を目指し，デバイスの機能発現に直接関連する界面部分の構造を観測した。測定には非破壊で高分解能な測定が可能な放射光表面X線回折法を用いた。その結果，有機半導体テトラセンの表面近傍での構造を高い分解で観測することに成功した他，イオン液体が形成する電気二重層の構造を，印加電圧による変化も含めて観測することに成功した。
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