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効率ドループの主要因を解明するために、 近接場光学顕微鏡を用いたPL 測定と時間分解(TR)PL 測定を行った。青色発光 InGaN では、キャリア密度が増加すると、キャリアが局在中心からオーバーフローするが、非輻射中心周囲にポテンシャル障壁が形成されているため、非輻射再結合するキャリアが増えないことが分かった。一方、緑色発光 InGaNでは、キャリア密度が増加すると、キャリアが強発光領域から貫通転位に起因した非輻射中心が多数分布する In 組成の高い弱発光領域へ拡散するようになり、非輻射再結合するキャリアの割合が増えることが判明した。これらの結果より、貫通転位密度とキャリア寿命の増加が緑色発光 InGaN における効率ドループの主要なメカニズムであることが明らかになった。
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