| 研究概要 |
本研究課題では,絶縁物の帯電及び二次電子放出の過渡解析法を開発して過渡現象を解明し,得られた技術・知見を産業界へ展開することを目的とする.そのために,独自に開発した半球型二次電子検出器をもとに短パルスイオン・電子照射による高精度時間発展二次電子収率計測並びに低ドーズ二次電子スペクトル計測システムを開発し,帯電に伴う二次電子放出過程の過渡解析による帯電・二次電子放出現象の解明を目指す.さらに汎用の二次電子収率測定用試料ホルダーを開発して実材料の二次電子収率測定法を確立することも目指す.これら目的のため本年度は,現有のイオン銃本体と駆動システムを改良することで,μ秒オーダーのパルスイオンビームを照射できるイオン銃システムを立ち上げた.これと併せて,これまで手動で行っていた二次電子収率測定を自動化するためにPCを用いた測定系を検討し,μ秒オーダーのパルスイオン照射下での二次電子収率を測定できる測定システムの開発を進めた.また,汎用装置での二次電子収率測定を行うために,分析装置メーカーや受託分析会社,メーカーの分析担当者とともに,汎用性の高い二次電子収率測定用試料ホルダーの設計を進めた.さらに,プラズマディスプレイパネル用保護膜であるMgO膜を中心にデバイスメーカーから絶縁物薄膜試料を入手し,実材料の二次電子収率の測定を進めた.また,絶縁膜試料の評価・分析に必要なスパッタ深さ分析や,分析中に起きる試料損傷についての検討も並行して進めた.
|
