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2012 年度 実績報告書

シリコンフォトニック結晶ナノ共振器の性能向上と非線形光学効果の増強

研究課題

研究課題/領域番号 23686015
研究機関大阪府立大学

研究代表者

高橋 和  大阪府立大学, 21世紀科学研究機構, 講師 (20512809)

研究期間 (年度) 2011-04-01 – 2015-03-31
キーワードフォトニック結晶 / 微小共振器 / 応用光学・量子光工学 / 半導体物性 / 光源技術 / ラマン散乱 / 非線形光学 / シリコン
研究概要

本研究課題の目的は、①次世代光デバイスとして期待されているシリコンフォトニック結晶ナノ共振器のQ値向上、共振波長ばらつき低減という2つの性能指数の向上と、②ナノ共振器による非線形光学効果の増強効果の理解の深化の2つである。前者では、Q値1000万、共振波長ばらつき100pm以下を明確な数値目標とし、後者では様々な非線形光学効果の定量的な観測を目標としてきた。これらの研究は、革新的な次世代光デバイス開発を支える基礎技術・学理と考えている。
本年度は、ナノ共振器の測定を様々な雰囲気下で行えるように測定チャンバーを改良して測定を行った結果、ナノ共振器のQ値を低減している原因がシリコン表面の光吸収であることを突き止めた。それを除去することにより、ナノ共振器の世界最高Q値を900万まで高めることに成功した。研究人材がいないため、測定ができていないだけで、Q値1000万はいつでも確認できる状況であり、2年目にして、本研究課題の最重要テーマを達成した。
次に、波長ばらつき低減であるが、これは数値的な向上が見られていないのが現状である。Q値が向上したのにもかかわらず、波長ばらつきが低減しないことは一見矛盾する結果であり、波長ばらつきの原因は、プロセス精度以外の所に原因があると分かってきた。大体は、見当が付いているが、研究人材がいないため、詳細な研究は今後の課題となっている。
最後に、非線形効果の増強についてであるが、ナノ共振器における誘導ラマン散乱の増強メカニズムをほぼ解明した。その知見を下にサンプル作製を行い、とうとう、シリコンラマンレーザーの発振に成功した。発振閾値はインテルが発表しているデバイスの2万分の1という驚異的なものである。さらに、デバイスサイズは10万分の1程度、作製プロセスは圧倒的に簡便である。
なお、本研究は、京都大学野田進研究室の協力を得て行った。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

1: 当初の計画以上に進展している

理由

ナノ共振器の世界最高Q値を900万まで向上し、1000万というマイルストーンを視界に捉えた。後は研究人材だけで、既に1000万を超える共振器はいつでも確認できる状況にある。ナノ共振器のQ値は、100万を突破した2006年頃から、その伸びが鈍くなり、数年前なら、誰も1000万という値に現実性を感じなかった。しかし、研究者は地道な研究を継続することで、Q値低減の主要因を解明し、更にそれを取り除くことで、大幅なQ値向上を達成した。科研費の支援による基礎研究の積み重ねの賜物である。
次に、共振波長ばらつき低減の主要因にもほぼ見当をつけ、後は実際に研究を遂行するだけである。人材が乏しいため、遂行できていないが、人材さえ来ればすぐに研究を進められる準備は整えてある。
最後に、超小型シリコンラマンレーザ-の超低閾値での室温連続発振という偉業を成し遂げた。研究者がこの研究テーマに取り組み始めた当初、多くの方から懐疑的な視線、意見を浴びたが、挑戦しなければ何事も進まない。今後の性能向上の見通しも明るい。これも科研費サポートによる基礎学理の解明があってこその成果である。

今後の研究の推進方策

Q値1000万は既に視界にとらえているが、研究を実行する人材がいないため、実際に研究を行うかの見通しは立っていない。既に900万を達成して本課題の目標は99%達成したので、論文投稿後には、非線形光学現象の研究に軸足を移す予定である。共振波長ばらつきについても同様である。ただし、Q値向上、共振波長ばらつき低減とも、ラマンレーザーの高機能化に必要不可欠なため、ラマンレーザ-研究を行いながら重要なヒントを得ていく予定である。
まずは、誘導ラマン散乱の更なる増強による、ラマンレーザ-の低閾値化、高効率化、高出力化、温度依存性などについて、理論・実験両面から研究を進める。既に、研究の方針、見通しは立っている。
これからの1年は、研究人材獲得と教育に時間を注ぎ、本研究課題で得られた成果を狭い世界で終わらせないよう、10年先を見据えながら研究を進める予定である。

  • 研究成果

    (21件)

すべて 2013 2012 その他

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (16件) (うち招待講演 1件) 備考 (2件) 産業財産権 (1件) (うち外国 1件)

  • [雑誌論文] A micrometre-sized Raman silicon laser with microwatt threshold2013

    • 著者名/発表者名
      Yasushi Takahashi, Yoshitaka Inui, Masahiro Chihara, Takashi Asano, Ryo Terawaki, and Susumu Noda
    • 雑誌名

      Nature

      巻: - ページ: -

    • DOI

      10.1038/nature12237

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ultrahigh-Q photonic crystal nanocavities in wide optical telecommunication bands2012

    • 著者名/発表者名
      Ryo Terawaki, Yasushi Takahashi, Masahiro Chihara, Yoshitaka Inui, and Susumu Noda
    • 雑誌名

      Optics Express

      巻: 20 ページ: 22743-22752

    • DOI

      10.1364/OE.20.022743

    • 査読あり
  • [学会発表] Ultralow threshold continuous wave Raman silicon laser using a photonic crystal high-Q nanocavity2013

    • 著者名/発表者名
      Yasushi Takahashi, Yoshitaka Inui, Takashi Asano, and Susumu Noda
    • 学会等名
      CLEO2013
    • 発表場所
      San Jose, USA
    • 年月日
      20130613-20130613
  • [学会発表] 高Q値ヘテロ構造ナノ共振器のQ値決定要因に関する考察2013

    • 著者名/発表者名
      瀬古口洋,高橋和,浅野卓,野田進
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      20130329-20130329
  • [学会発表] 高Q値ナノ共振器を用いた超低閾値シリコンラマンレーザ発振2013

    • 著者名/発表者名
      高橋和,乾善貴,浅野卓,野田進
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      20130328-20130328
  • [学会発表] Enhanced Raman Scattering in Silicon High-Q Photonic Crystal Nanocavities2013

    • 著者名/発表者名
      Yasushi Takahashi
    • 学会等名
      The First NanoSquare
    • 発表場所
      Osaka Prefectural University
    • 年月日
      20130205-20130205
  • [学会発表] フォトニック結晶ナノ共振器シリコンラマンレーザーの開発2013

    • 著者名/発表者名
      高橋和
    • 学会等名
      nano tech 2013
    • 発表場所
      東京ビッグサイト
    • 年月日
      20130130-20130201
  • [学会発表] 高Q値シリコン光ナノ共振器を用いたラマン光増幅素子の開発2013

    • 著者名/発表者名
      高橋和,乾善貴,浅野卓,野田進
    • 学会等名
      電子情報通信学会
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      20130125-20130125
  • [学会発表] Siフォトニック結晶ナノ共振器における 共振モード間ラマン散乱の結晶方位依存性2012

    • 著者名/発表者名
      乾 善貴,高橋 和,浅野 卓,野田 進
    • 学会等名
      第7回 DYCE シンポジウム
    • 発表場所
      東京大学 浅野キャンパス
    • 年月日
      20121226-20121226
  • [学会発表] 高Q値シリコンフォトニック結晶光ナノ共振器における誘導ラマン散乱の増強2012

    • 著者名/発表者名
      高橋和
    • 学会等名
      第7回 DYCE シンポジウム
    • 発表場所
      東京大学 浅野キャンパス
    • 年月日
      20121225-20121225
  • [学会発表] フォトニック結晶ナノ共振器シリコンラマンレーザーの開発2012

    • 著者名/発表者名
      高橋和
    • 学会等名
      さきがけ「革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス」2012年度成果報告会
    • 発表場所
      秋葉原
    • 年月日
      20121114-20121114
  • [学会発表] Silicon Photonic Devices Using Photonic Crystal High-Q Cavities2012

    • 著者名/発表者名
      Yasushi Takahashi
    • 学会等名
      The 6th NanoSquare Workshop
    • 発表場所
      Osaka Prefectural University
    • 年月日
      20121028-20121028
  • [学会発表] [100] 方位に作製した高Q値シリコンナノ共振器からのラマン散乱2012

    • 著者名/発表者名
      高橋 和,乾 善貴,千原 賢大,浅野 卓,野田 進
    • 学会等名
      2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学
    • 年月日
      20120914-20120914
  • [学会発表] ナノ共振器シリコンラマンレーザの特性に結晶方位が与える影響2012

    • 著者名/発表者名
      乾 善貴,高橋 和,田中 良典,浅野 卓,野田 進
    • 学会等名
      2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学
    • 年月日
      20120914-20120914
  • [学会発表] シリコンフォトニック結晶における高密度励起状態の発光ダイナミクス2012

    • 著者名/発表者名
      井原 章之,高橋 和,野田 進,金光義彦
    • 学会等名
      2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学
    • 年月日
      20120914-20120914
  • [学会発表] 光子寿命5 ナノ秒を持つ高Q 値ヘテロ構造ナノ共振器2012

    • 著者名/発表者名
      瀬古口 洋、高橋 和、浅野 卓、野田 進
    • 学会等名
      2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学
    • 年月日
      20120913-20120913
  • [学会発表] Enhanced Raman Scattering in Silicon High-Q Photonic Crystal Nanocavities2012

    • 著者名/発表者名
      Yasushi Takahashi
    • 学会等名
      OPU-KIST-ECUST Joint Symposium
    • 発表場所
      Osaka Prefectural University
    • 年月日
      20120910-20120910
    • 招待講演
  • [学会発表] Enhanced Raman Scattering in Silicon High-Q Photonic Crystal Nanocavities2012

    • 著者名/発表者名
      Yasushi Takahashi
    • 学会等名
      DYCE International Workshop
    • 発表場所
      Kussharo, Hokkaido, Japan
    • 年月日
      20120809-20120809
  • [備考] 高橋和研究室ホームページ

    • URL

      http://www.nanosq.21c.osakafu-u.ac.jp/ttsl_lab/y_takahashi/index.html

  • [備考] 地域の大学からナノ科学・材料人材育成拠点WEBサイト

    • URL

      http://www.nanosq.21c.osakafu-u.ac.jp/

  • [産業財産権] ラマン散乱光増強デバイス、ラマン散乱光増強デバイスの製造方法2012

    • 発明者名
      高橋和、乾善貴、千原賢大、浅野卓、野田進
    • 権利者名
      科学技術振興機構
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2012-185638
    • 出願年月日
      2012-08-24
    • 外国

URL: 

公開日: 2014-07-24  

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