研究課題
若手研究(A)
III-V族化合物半導体の量子井戸を用い,3準位系による2段階光電変換を実現し,50%以上のエネルギー変換効率が予測されているマルチバンド太陽電池の実現を目指した.まず,構造制御技術が確立しているInGaAs/GaAsP歪み補償量子井戸を用いた2段階光電変換を,トンネルによるキャリア輸送が可能な超格子構造について実証した.次に,高効率光電変換に適したワイドギャップ3準位系を形成するためのInGaN/AlGaN歪み補償量子井戸積層技術を構築し,従来のInGaN/GaN量子井戸に比べて良好な構造制御性おより発光特性を確認した.最後に本構造からの光励起キャリア取り出しについて基礎検証を行った.
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